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GT040N04T	文件：1.01134 Mbytes Page：6 Pages	丝印：GT040N04；Package：TO-220；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT040N04T uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：1.01134 Mbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT040N04TI	文件：833.3 Kbytes Page：6 Pages	丝印：GT040N04I；Package：TO-220；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT040N04TI uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：833.3 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT040N04T	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trench Mosfet	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
VSD040N04MS	文件：1.07308 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.07308 Mbytes 页数：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
VSO040N04MD	文件：1.1561 Mbytes Page：4 Pages	Dual N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.1561 Mbytes 页数：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
VSO040N04MS	文件：1.19069 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.19069 Mbytes 页数：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER

更多GT040N04T供应商更新时间2025-10-6 11:06:00