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GT040N04T	文件：1.01134 Mbytes Page：6 Pages	Marking：GT040N04；Package：TO-220；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheGT040N04Tusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
GT040N04TI	文件：833.3 Kbytes Page：6 Pages	Marking：GT040N04I；Package：TO-220；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheGT040N04TIusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
BSZ040N04LSG	文件：336.07 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS??Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
GT040N04MA	文件：1.23445 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheGT040N04MAusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. AEC-Q101Qualified Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
VSD040N04MS	文件：1.07308 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
VSO040N04MD	文件：1.1561 Mbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
VSO040N04MS	文件：1.19069 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER

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