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GSC2D05120D	文件：300 bytes Page：1 Pages	5A,1200V,Schottky Barrier Rectifiers	Galaxy 银河微电	Galaxy
C2D05120	文件：464.9 Kbytes Page：5 Pages	Silicon Carbide Schottky Diode 文件：464.9 Kbytes 页数：5 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
C2D05120A	文件：464.9 Kbytes Page：5 Pages	Silicon Carbide Schottky Diode 文件：464.9 Kbytes 页数：5 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
C2D05120A	文件：520.25 Kbytes Page：6 Pages	Silicon Carbide Schottky Diode Zero Recovery Rectifier Z-REC™ RECTIFIERS and ZERO-RECOVERY® RECTIFIERS SILICON CARBIDE Z-FET™ MOSFET 文件：520.25 Kbytes 页数：6 Pages	Cree 科锐	Cree

技术参数

AEC Qualified：
NO
Pb Free：
YES
Halide free：
YES
Reach：
YES
RoHS：
YES
Marketing Status：
Active
Configuration：
Single
VRRM(V)max.：
1200
IF(A)max.：
5
VF (V)max：
1.7
IFSM(A)max.：
40
IR(uA)max.：
100
TJ(°C)max.：
175
TJ(°C)min.：
-55
ECCN(US)：
EAR99
Category：
SiC 肖特基

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多GSC2D05120D供应商更新时间2025-11-29 22:58:00

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