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GQM2195C2ER80BB12D

RF Power GaN Transistor

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

GQM2195C2ER80BB12D

包装:卷带(TR) 封装/外壳:0805(2012 公制) 类别:电容器 陶瓷电容器 描述:CERAMIC CAP MLCC HIGH-Q 125C

Murata Electronics

Murata Electronics

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GQM2195C2ER80BB12D

包装:卷带(TR) 封装/外壳:0805(2012 公制) 类别:电容器 陶瓷电容器 描述:CERAMIC CAP MLCC HIGH-Q 125C

Murata Electronics

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Murata Electronics

GQM2195C2ER80BB12

1805–2200MHz,107WAVG.,48VAIRFASTRFPOWERGaNTRANSISTOR

Features Highterminalimpedancesforoptimalbroadbandperformance Advancedhighperformancein--packageDoherty AbletowithstandextremelyhighoutputVSWRandbroadbandoperating conditions

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

产品属性

  • 产品编号:

    GQM2195C2ER80BB12D

  • 制造商:

    Murata Electronics

  • 类别:

    电容器 > 陶瓷电容器

  • 系列:

    GQM

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 容差:

    ±0.1pF

  • 电压 - 额定:

    250V

  • 温度系数:

    C0G,NP0

  • 工作温度:

    -55°C ~ 125°C

  • 特性:

    高 Q 值,低损耗

  • 应用:

    RF,微波,高频

  • 安装类型:

    表面贴装,MLCC

  • 封装/外壳:

    0805(2012 公制)

  • 大小 / 尺寸:

    0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)

  • 厚度(最大值):

    0.039"(1.00mm)

  • 描述:

    CERAMIC CAP MLCC HIGH-Q 125C

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更多GQM2195C2ER80BB12D供应商 更新时间2024-5-14 17:39:00