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GQM2195C2E8R2BB12D电容器的陶瓷电容器规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
GQM2195C2E8R2BB12D |
| 参数属性 | GQM2195C2E8R2BB12D 封装/外壳为0805（2012 公制）；包装为卷带（TR）；类别为电容器的陶瓷电容器；GQM2195C2E8R2BB12D应用范围：RF，微波，高频；产品描述：CAP CER 8.2PF 250V NP0 0805 |
| 功能描述 | Airfast RF Power GaN Transistor |
| 封装外壳 | 0805（2012 公制） |
| 文件大小 |
207.73 Kbytes |
| 页面数量 |
13 页 |
| 生产厂商 | 恩XP |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-2 17:00:00 |
| 人工找货 | GQM2195C2E8R2BB12D价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
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GQM2195C2E8R2BB12D规格书详情
This 24 dBm RF power GaN transistor is designed for cellular base station
applications covering the frequency range of 2496 to 2690 MHz.
特性 Features
• High terminal impedances for optimal broadband performance
• Designed for low complexity linearization systems
• Universal broadband driver
• Optimized for massive MIMO active antenna systems for 5G base stations
产品属性
- 产品编号：
GQM2195C2E8R2BB12D
- 制造商：
ETC
- 类别：
电容器 > 陶瓷电容器
- 系列：
GQM
- 包装：
卷带（TR）
- 容差：
±0.1pF
- 电压 - 额定：
250V
- 温度系数：
C0G，NP0
- 工作温度：
-55°C ~ 125°C
- 特性：
高 Q 值，低损耗
- 应用：
RF，微波，高频
- 安装类型：
表面贴装，MLCC
- 封装/外壳：
0805（2012 公制）
- 大小 / 尺寸：
0.079" 长 x 0.049" 宽（2.00mm x 1.25mm）
- 厚度（最大值）：
0.037"（0.95mm）
- 描述：
CAP CER 8.2PF 250V NP0 0805
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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23+ |
SMD |
880000 |
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村田/MURATA |
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