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08N50E	文件：451.57 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ
CMT08N50	文件：224.7 Kbytes Page：7 Pages	POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR	CHAMPChampion Microelectronic Corp. 虹冠虹冠电子
CMT08N50	文件：226.35 Kbytes Page：7 Pages	POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
CMT08N50	文件：217.54 Kbytes Page：7 Pages	POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR GENERALDESCRIPTION ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyeffic	CHAMPChampion Microelectronic Corp. 虹冠虹冠电子
FMP08N50E	文件：451.57 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ
FMV08N50E	文件：423.76 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET SuperFAP-E3series Features Maintainsbothlowpowerlossandlownoise LowerRDS(on)characteristic Morecontrollableswitchingdv/dtbygateresistance SmallerVGSringingwaveformduringswitching Narrowbandofthegatethresholdvoltage(3.0±0.5V) Highaval	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ
FTP08N50D	文件：54.71 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancement InPowerProductLines	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
NDF08N50Z	文件：123.55 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMOSFET500V,0.85	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
NDF08N50Z	文件：319.8 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=8.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.85Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
NDF08N50Z	文件：146.17 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMOSFET500V,0.69	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
NDF08N50ZG	文件：146.17 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMOSFET500V,0.69	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
NDF08N50ZH	文件：123.55 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMOSFET500V,0.85	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
NDP08N50Z	文件：146.17 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMOSFET500V,0.69	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
NDP08N50Z	文件：372.89 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=7.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.85Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
NDP08N50ZG	文件：146.17 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMOSFET500V,0.69	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
SDF08N50	文件：193.79 Kbytes Page：11 Pages	SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON).	Samhop 三合微科

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多GPT08N50G供应商更新时间2024-4-28 15:49:00

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