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NTE2319	文件：26.39 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNTransistorHighVoltage,HighSpeedPowerSwitch Description: TheNTE2319isasiliconNPNtransistorinaTO3typepackagedesignedforhighvoltage,highspeed,powerswitchingininductivecircuitswherefalltimeiscritical.Itisparticularlysuitedforline–operatedswitchmodeapplications. Features: •FastTurn–OnTimes@TC=	NTE NTE Electronics	NTE
PAM2319	文件：355.6 Kbytes Page：12 Pages	DUALHIGH-EFFICIENCYPWMSTEP-DOWNDC-DCCONVERTER	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
PAM2319	文件：301.88 Kbytes Page：13 Pages	DualHigh-EfficiencyPWMStep-DownDC-DCCoverter	PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司	PAM
PAM2319AYAA	文件：355.6 Kbytes Page：12 Pages	DUALHIGH-EFFICIENCYPWMSTEP-DOWNDC-DCCONVERTER	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
PJM2319PSA	文件：1.08627 Mbytes Page：8 Pages	P-EnhancementFieldEffectTransistor	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司	PJSEMI
PM2319-KIT	文件：69.87 Kbytes Page：2 Pages	SXP36x3GEvaluationKit	PMC PMC-Sierra, Inc	PMC
PP2319	文件：271.37 Kbytes Page：4 Pages	HeatShrinkTubing	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
PT2319	文件：362.61 Kbytes Page：17 Pages	AudioProcessorIC DESCRIPTION PT2319isanaudioprocessorICspeciallydesignedforhighfidelityaudioapplicationsutilizingadvancedCMOSprocessingtechnology.IncludedintheICare5stereoinputsignalports,superbass andbass/treblecontrols,volumecontrol,balance/fadercontrolsandmuting.	PTCPrinceton Technology Corporation 普诚普诚科技	PTC
SI2319	文件：614.98 Kbytes Page：6 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateMOSFETS FEATURE ●TrenchFETPowerMOSFET ●LowRDS(ON) ●SurfaceMountPackage APPLICATION ※LoadSwitchforPortableDevices ※DC/DCConverter ※BatterySwitch	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
SI2319A	文件：874.74 Kbytes Page：6 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateMOSFETS Features VDS(V)=-40V RDS(ON)70m(VGS=10V)，ID=-4.4A RDS(ON)95m(VGS=4.5V)，ID=-3.5A	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW

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详细参数

型号：
GPDP2319
制造商：
GPSEMI
制造商全称：
GPSEMI
功能描述：
AVALANCHE RECTIFIER DIODE

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更多GPDP2319供应商更新时间2025-7-18 17:56:00

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