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GP801DDS18

Dual Switch Low VCE(SAT) IGBT Module

The Powerline range of high power modules includes dual and single switch configurations covering voltages from 600V to 3300V and currents up to 4800A. The GP801DDS18 is a dual switch 1800V, n channel enhancement mode, insulated gate bipolar transistor (IGBT) module. Designed with low VCE(SAT) to

文件:143.03 Kbytes 页数:10 Pages

Dynex

GP801DDS18

Dual Switch Low VCE(SAT) IGBT Module

Dynex

丹尼克斯

GPCV3212A-003A-QL091

GENERALPL
LQFP128

GENERALPL

GPD14B03-117

SAMSUNG
QFN

GPD220A-202A-QL231

GENERALPL
QFP48

GENERALPL

详细参数

  • 型号:

    GP801DDS18

  • 制造商:

    DYNEX

  • 制造商全称:

    Dynex Semiconductor

  • 功能描述:

    Dual Switch Low VCE(SAT) IGBT Module

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Diodes(美台)
25+
封装
500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
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DIODES/美台
24+
N/A
500000
美台原厂超低价支持
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GP
23+
SOT23-3
15000
正品原装货价格低
询价
GP
23+
SOT23-3
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
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GENERALINSTRUMENTS
2447
NA
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
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GPIINTERNATIONAL
2022+
432
全新原装 货期两周
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IR
TO-220-2
22+
6000
十年配单,只做原装
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IR
23+
TO-220-2
8000
只做原装现货
询价
IR
23+
TO-220-2
7000
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IR
25+
TO-TO-220-2
12300
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
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更多GP801DDS18供应商 更新时间2025-10-6 15:00:00