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GP801DDS18

文件：143.03 Kbytes

Page：10 Pages

Dual Switch Low VCE(SAT) IGBT Module

ThePowerlinerangeofhighpowermodulesincludesdualandsingleswitchconfigurationscoveringvoltagesfrom600Vto3300Vandcurrentsupto4800A. TheGP801DDS18isadualswitch1800V,nchannelenhancementmode,insulatedgatebipolartransistor(IGBT)module.DesignedwithlowVCE(SAT)to

Dynex

Dynex Semiconductor

Dynex

详细参数

型号：
GP801DDS18
制造商：
DYNEX
制造商全称：
Dynex Semiconductor
功能描述：
Dual Switch Low VCE(SAT) IGBT Module

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	GP809-2.93V	GP	23+	SOT23-3	10000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
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