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082N10N

100VN-ChannelMOSFET

Features •N-channel,normallevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •175°Coperatingtemperature •Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchronousrectification •VDS=100V •ID(atVGS=10V)=80A •RDS(ON)(atVGS=10V)

UMWUMW

友台友台半导体

BSC082N10LSG

OptiMOS??Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

TF082N10NG

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

●GeneralDescription TheTF082N10NGusesadvancedtrenchtechnology anddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgate charge.Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. ●Features Advancedeviceconstructure LowRDS(ON)tominimizeconductionloss LowGateChargeforfastswitchi

TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co

拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司

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更多GP082N10M供应商 更新时间2024-5-17 14:02:00