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H02N60SI	文件：77.67 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerFieldEffectTransistor Description ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegratdingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficient	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC
H02N60SJ	文件：77.67 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerFieldEffectTransistor Description ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegratdingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficient	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC
M02N60	文件：169.16 Kbytes Page：5 Pages	NChannelMOSFET FEATURE RobustHighVoltageTemination. AvalancheEnergySpecified Source-toDrainDiodeRecoveryTimeComparabletoaDiscreteFastRecoveryDiode DiodeisCharacterizedforUseinBridgeCircurits IDSSandVDS(on)SpecifiedatElevatedTemperature	STANSON Stanson Technology	STANSON
M02N60B	文件：221.2 Kbytes Page：5 Pages	NChannelMOSFET FEATURE RobustHighVoltageTemination. AvalancheEnergySpecified Source-toDrainDiodeRecoveryTimeComparabletoaDiscreteFastRecoveryDiode DiodeisCharacterizedforUseinBridgeCircurits IDSSandVDS(on)SpecifiedatElevatedTemperature	STANSON Stanson Technology	STANSON
NDD02N60Z	文件：299.63 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=2.2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.8Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NDD02N60Z	文件：146.41 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelPowerMOSFET600V,4.8	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NDF02N60Z	文件：168.55 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelPowerMOSFET600V,4.0	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NDF02N60Z	文件：148.07 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NDF02N60Z	文件：146.41 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelPowerMOSFET600V,4.8	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NDF02N60Z	文件：319.52 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=2.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.8Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市达恩科技有限公司	GM02RBAQRF	SEQUANS COMMUNICATIONS	24+	N/A	21000	原装原装原装	询价
深圳市联世界科技有限公司	GM-040M	DIGITALPANEL	24+/25+		53	原装正品现货库存价优	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	GM0465	FSC	1926+	TO-220F	6852	只做原装正品现货!或订货假一赔十!	询价
深圳市澳亿芯电子科技有限公司	GM0465R	FSC	04+	TO-220F	25	旗舰店	询价
深圳市星宇佳科技有限公司	GM0465R	FAIRCHILD/仙童	04+	TO220F	214		询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	GM0465R	Fairchild(飞兆/仙童)	24+	NA/	8735	原厂直销,现货供应,账期支持!	询价
深圳市创新迹电子有限公司	GM0465R	特价	23+	实货	7300	专注配单,只做原装进口现货	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	GM0465R	特价	23+	实货	7300	专注配单,只做原装进口现货	询价
深圳市明嘉莱科技有限公司	GM0465R	FAIRCHILD/仙童	24+	TO220F	990000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
深圳市科芯源微电子有限公司	GM0465R	FAIRCHILD/仙童	25+	TO220F-6	1988	原装正品,假一罚十!	询价

更多GM02N60D/U供应商更新时间2025-7-19 14:17:00

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