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GMZ2.2	文件：86.13 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTZENERDIODES	PANJITPan Jit International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
GMZJ2.2	文件：159.21 Kbytes Page：5 Pages	SURFACEMOUNTZENERDIODES	PANJITPan Jit International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
GMZJ2.2	文件：45.21 Kbytes Page：3 Pages	MicroMELFZENERDIODE2.5500mW	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
GQZ2.2	文件：86.24 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTZENERDIODES	PANJITPan Jit International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
GQZJ2.2	文件：86.39 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTZENERDIODES	PANJITPan Jit International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
GZLJ2.2	文件：128.25 Kbytes Page：4 Pages	500mWMINIMELFZENERDIODE	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER
HZ2.2BP	文件：73.55 Kbytes Page：8 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodesforVoltageController-VoltageLimitter	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HZ2.2BP	文件：46 Kbytes Page：8 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodesforVoltageController-VoltageLimitter Features •Widespectrumfrom1.88Vthrough40Vofzenervoltageprovideflexibleapplication. •GlasspackageDO-41structureensureshighreliability.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HZ2.2CP	文件：73.55 Kbytes Page：8 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodesforVoltageController-VoltageLimitter	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HZ2.2CP	文件：46 Kbytes Page：8 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodesforVoltageController-VoltageLimitter Features •Widespectrumfrom1.88Vthrough40Vofzenervoltageprovideflexibleapplication. •GlasspackageDO-41structureensureshighreliability.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HZC2.2	文件：34.42 Kbytes Page：6 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforSurgeAbsorb	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HZC2.2	文件：71.8 Kbytes Page：6 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforSurgeAbsorb	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HZF2.2BP	文件：364.11 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
HZM2.2N	文件：193.81 Kbytes Page：8 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizer Features •Widespectrumfrom1.9Vthrough38Vofzenervoltageprovideflexibleapplication. •MPAKPackageissuitableforhighdensitysurfacemountingandhighspeedassembly.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HZM2.2N	文件：193.81 Kbytes Page：8 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizer	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HZM2.2N	文件：37.01 Kbytes Page：10 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizer	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HZM2.2N	文件：92.21 Kbytes Page：7 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizer	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HZM2.2N	文件：210.1 Kbytes Page：10 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizer	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HZM2.2NB	文件：193.81 Kbytes Page：8 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizer	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HZU2.2	文件：100.59 Kbytes Page：11 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodesforStabilizer Features •UltrasmallResinPackage(URP)issuitableforsurfacemountdesign. •Thesediodesaredeliveredtaped.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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更多GLZJ2.2BTR供应商更新时间2024-9-26 16:42:00

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