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GKG10086	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装类别：电容器微调器，可变电容器描述：CAP TRIMMER 3-10PF 100V SMD	Sprague-GoodmanSprague Goodman Sprague Goodman	Sprague-Goodman
GKG10086	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：电容器微调器，可变电容器描述：CAP TRIMMER 3-10PF 100V SMD	EW Electronics EW Electronics	EW Electronics
GKG10086-05	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装类别：电容器微调器，可变电容器描述：CAP TRIM 3-10PF 100V SMD	Sprague-GoodmanSprague Goodman Sprague Goodman	Sprague-Goodman
10086	文件：54.76 Kbytes Page：1 Pages	AMERICANCORDSET;230cmLONGNEMA5-15PTOIEC60320C13,LEFTHANDED	POWERDYNAMICS PowerDynamics, Inc	POWERDYNAMICS
A10086CHNF	文件：603.13 Kbytes Page：2 Pages	ContinuousHingewithClamps,Type4	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
A10086SC	文件：621.47 Kbytes Page：2 Pages	ScrewCover,Type12	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
APT10086BLC	文件：35.76 Kbytes Page：2 Pages	PowerMOSVITMisanewgenerationoflowgatecharge,highvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs. PowerMOSVITMisanewgenerationoflowgatecharge,highvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.LowergatechargeisachievedbyoptimizingthemanufacturingprocesstominimizeCissandCrss.LowergatechargecoupledwithPowerMOSVITMoptimizedgatelayout,deliversexceptionally	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT10086BVFR	文件：68.78 Kbytes Page：4 Pages	PowerMOSVisanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs. PowerMOSV®isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV®alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. •FastRecoveryBody	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT10086BVFR	文件：372.82 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=13A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.86Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
APT10086BVR	文件：372.81 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=13A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.86Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
APT10086BVR	文件：66.07 Kbytes Page：4 Pages	PowerMOSVisanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs. PowerMOSV®isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV®alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. •FasterSwitching	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT10086SLC	文件：35.76 Kbytes Page：2 Pages	PowerMOSVITMisanewgenerationoflowgatecharge,highvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs. PowerMOSVITMisanewgenerationoflowgatecharge,highvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.LowergatechargeisachievedbyoptimizingthemanufacturingprocesstominimizeCissandCrss.LowergatechargecoupledwithPowerMOSVITMoptimizedgatelayout,deliversexceptionally	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT10086SVR	文件：69.1 Kbytes Page：4 Pages	PowerMOSVisanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs. PowerMOSV®isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV®alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. •FasterSwitching	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
GKY10086	文件：550.03 Kbytes Page：12 Pages	CERAMICDIELECTRICTRIMMERCAPACITORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
WPANT10086	文件：93.75 Kbytes Page：2 Pages	GPSL1bandSMTAntenna	WPI World Produts Inc.	WPI

产品属性

产品编号：
GKG10086
制造商：
Sprague-Goodman
类别：
电容器 > 微调器，可变电容器
系列：
SURFTRIM® GKG
包装：
散装
电容范围：
3 ~ 10pF
调节类型：
顶部
介电材料：
陶瓷
不同频率时 Q 值：
500 @ 1MHz
大小 / 尺寸：
0.177" 长 x 0.157" 宽（4.50mm x 4.00mm）
高度 - 安装（最大值）：
0.118"（3.00mm）
工作温度：
-25°C ~ 85°C
安装类型：
表面贴装型
特性：
通用
描述：
CAP TRIMMER 3-10PF 100V SMD

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