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MTB75N03HDL	文件：304.84 Kbytes Page：12 Pages	TMOSPOWERFETLOGICLEVEL75AMPERES25VOLTS HDTMOSE-FET™PowerFieldEffectTransistor DPAKforSurfaceMount N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate Thisadvancedhigh–celldensityHDTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–so	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTP75N03	文件：296.08 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=9mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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MTP75N03HDL	文件：235.54 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFETLOGICLEVEL75AMPERESRDS(on)=9.0mOHM25VOLTS HDTMOSE-FETHighDensityPowerFET N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate Thisadvancedhigh–celldensityHDTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thisnewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecoverytime.De	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
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更多GFI75N03供应商更新时间2024-5-31 15:44:00

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