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GRF2011	文件：811.26 Kbytes Page：11 Pages	BroadbandLinearGainBlock0.05to3.8GHz	GUERRILLA Guerrilla RF, Inc.	GUERRILLA
GRHI-2011	文件：165.08 Kbytes Page：1 Pages	ASSEMBLYDRAWINGHIGHIMPACTROCKERSWITCH1.124x.550PANEL	CWIND CW Industries	CWIND
H2011U	文件：722.64 Kbytes Page：5 Pages	4&6TumblerPowerSwitchlocks Features/Benefits •Positivedetent •Multi-poleandmulti-position •Snap-togetherassembly •Powerswitching	CK-COMPONENTS C&K Components	CK-COMPONENTS
HAF2011	文件：34.67 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNChannelMOSFETSeriesPowerSwitching Features ThisFEThastheovertemperatureshut–downcapabilitysensingtothejunctiontemperature.ThisFEThasthebuilt–inovertemperatureshut–downcircuitinthegatearea.Andthiscircuitoperationtoshut–downthegatevoltageincaseofhighjunctiontemperaturelikeapplyingoverpowe	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HAF2011	文件：121.97 Kbytes Page：9 Pages	SiliconNChannelMOSFETSeriesPowerSwitching Description ThisFEThastheovertemperatureshut-downcapabilitysensingtothejunctiontemperature. ThisFEThasthebuilt-inovertemperatureshut-downcircuitinthegatearea.Andthiscircuitoperationtoshut-downthegatevoltageincaseofhighjunctiontemperaturelikeapplyingover	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HAF2011(L)_15	文件：137 Kbytes Page：11 Pages	SiliconNChannelMOSFETSeriesPowerSwitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HAF2011L	文件：121.97 Kbytes Page：9 Pages	SiliconNChannelMOSFETSeriesPowerSwitching Description ThisFEThastheovertemperatureshut-downcapabilitysensingtothejunctiontemperature. ThisFEThasthebuilt-inovertemperatureshut-downcircuitinthegatearea.Andthiscircuitoperationtoshut-downthegatevoltageincaseofhighjunctiontemperaturelikeapplyingover	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HAF2011L	文件：34.67 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNChannelMOSFETSeriesPowerSwitching Features ThisFEThastheovertemperatureshut–downcapabilitysensingtothejunctiontemperature.ThisFEThasthebuilt–inovertemperatureshut–downcircuitinthegatearea.Andthiscircuitoperationtoshut–downthegatevoltageincaseofhighjunctiontemperaturelikeapplyingoverpowe	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HAF2011S	文件：34.67 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNChannelMOSFETSeriesPowerSwitching Features ThisFEThastheovertemperatureshut–downcapabilitysensingtothejunctiontemperature.ThisFEThasthebuilt–inovertemperatureshut–downcircuitinthegatearea.Andthiscircuitoperationtoshut–downthegatevoltageincaseofhighjunctiontemperaturelikeapplyingoverpowe	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HAF2011S	文件：121.97 Kbytes Page：9 Pages	SiliconNChannelMOSFETSeriesPowerSwitching Description ThisFEThastheovertemperatureshut-downcapabilitysensingtothejunctiontemperature. ThisFEThasthebuilt-inovertemperatureshut-downcircuitinthegatearea.Andthiscircuitoperationtoshut-downthegatevoltageincaseofhighjunctiontemperaturelikeapplyingover	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

详细参数

型号：
GDM2011.BLACK
制造商：
Hirschmann Electronics GmbH & Co Kg
功能描述：
PLUG FREE 2+E WAY
制造商：
HIRSCHMANN
功能描述：
PLUG, FREE, 2+E WAY
功能描述：
RECTANGULAR POWER CONNECTOR, RECEPTACLE, 2POS;
Series：
-;
Gender：
Receptacle; No. of
Contacts：
2; Contact
Gender：
Socket; Connector
Mounting：
Cable; Contact
Termination：
Screw; Contact
Material：
Brass; Contact
Plating：
Tin; Voltage
AC：
250V ;RoHS
Compliant：
Yes

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上海金庆电子技术有限公司	GDM2011BLACK	HIRSCHMANN	新		150	全新原装货期两周	询价
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