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VBE16R02	文件：1.62042 Mbytes Page：12 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBE16R02	文件：1.72714 Mbytes Page：12 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •SurfaceMount(IRFRC20,SiHFRC20) •StraightLead(IRFUC20,SiHFUC20) •AvailableinTapeandReel •FastSwitching •EaseofParalleling •ComplianttoRoHSDirective200	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBE16R02S	文件：1.1204 Mbytes Page：12 Pages	N-Channel600V(D-S)SuperJunctionPowerMOSFET FEATURES •IsolatedPackage •HighVoltageIsolation=2.5kVRMS(t=60s; f=60Hz) •SinktoLeadCreepageDistance=4.8mm •DynamicdV/dtRating •LowThermalResistance •Lead(Pb)-freeAvailable	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBFB16R02	文件：1.62042 Mbytes Page：12 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBFB16R02	文件：1.72714 Mbytes Page：12 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •SurfaceMount(IRFRC20,SiHFRC20) •StraightLead(IRFUC20,SiHFUC20) •AvailableinTapeandReel •FastSwitching •EaseofParalleling •ComplianttoRoHSDirective200	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBFB16R02S	文件：1.1204 Mbytes Page：12 Pages	N-Channel600V(D-S)SuperJunctionPowerMOSFET FEATURES •IsolatedPackage •HighVoltageIsolation=2.5kVRMS(t=60s; f=60Hz) •SinktoLeadCreepageDistance=4.8mm •DynamicdV/dtRating •LowThermalResistance •Lead(Pb)-freeAvailable	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBM16R02	文件：1.72714 Mbytes Page：12 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •SurfaceMount(IRFRC20,SiHFRC20) •StraightLead(IRFUC20,SiHFUC20) •AvailableinTapeandReel •FastSwitching •EaseofParalleling •ComplianttoRoHSDirective200	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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