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UPA2717GR

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2717AGRisP-ChannelMOSFieldEffect Transistordesignedforpowermanagementapplicationsof notebookcomputersandLithium-Ionbatteryprotectioncircuit. FEATURES Lowon-stateresistance RDS(on)1=5.5mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−7.5A) RDS(on)2=8.9mΩMAX.(VGS=

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

UPA2717GR

SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFET

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

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更多GC2717供应商 更新时间2025-7-19 15:56:00