GC20N60F说明书PDF资料供应代理GOFORD第4页-114ic电子网

首页 >GC20N60F>规格书列表

零件编号	下载订购	功能描述/丝印	制造商上传企业	LOGO
IXFH20N60Q	文件：337.77 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.35Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFM20N60	文件：82.08 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFM20N60	文件：295.27 Kbytes Page：8 Pages	HIPERFETPowerMOSFTETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFM20N60	文件：187.03 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFT20N60Q	文件：153.2 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsQ-Class HiPerFETPowerMOSFETsQ-Class N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,Highdv/dt,LowGateChargeandCapacitances Features •IXYSadvancedlowgatechargeprocess •Internationalstandardpackages •Lowgatechargeandcapacitance -easiertodrive -fasterswitching •LowRDS	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGA20N60B	文件：85.86 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFASTTMIGBT	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGH20N60	文件：64.36 Kbytes Page：2 Pages	LowVCE(sat)IGBT,HighspeedIGBT LowVCE(sat)IGBTHighspeedIGBT Features lInternationalstandardpackages l2ndgenerationHDMOSTMprocess lLowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses lHighcurrenthandlingcapability lMOSGateturn-on -drivesimplicity lVoltageratingguaranteedat	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGH20N60A	文件：64.36 Kbytes Page：2 Pages	LowVCE(sat)IGBT,HighspeedIGBT LowVCE(sat)IGBTHighspeedIGBT Features lInternationalstandardpackages l2ndgenerationHDMOSTMprocess lLowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses lHighcurrenthandlingcapability lMOSGateturn-on -drivesimplicity lVoltageratingguaranteedat	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGH20N60B	文件：114.65 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFASTIGBT VCES=600V IC25=40A VCE(sat)typ=1.7V tfi(typ)=100ns Features •InternationalstandardpackagesJEDECTO-268surfacemountableandJEDECTO-247AD •Highcurrenthandlingcapability •LatestgenerationHDMOSTMprocess •MOSGateturn-on -drivesimplicity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGM20N60	文件：64.36 Kbytes Page：2 Pages	LowVCE(sat)IGBT,HighspeedIGBT LowVCE(sat)IGBTHighspeedIGBT Features lInternationalstandardpackages l2ndgenerationHDMOSTMprocess lLowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses lHighcurrenthandlingcapability lMOSGateturn-on -drivesimplicity lVoltageratingguaranteedat	IXYS IXYS Corporation	IXYS

<<<1 2 345 6 >>>

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
现代芯城（深圳）科技有限公司	GC20N65FD		24+	N/A	65000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
讯运(深圳/上海)电子有限公司	GC2111D	Gem-micro(晶群)	2021+	SOT-23-6L	3499		询价
深圳市安富世纪电子有限公司	GC2111D	GEM-MICRO	23+	SOT23-6	3000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	GC2111D	GEM-MICRO	14+	SOT23-6	3000		询价
深圳市鑫炜纳电子有限公司	GC2111D	GEM-MICRO	2022+	SOT23-6	3000	原厂原装,假一罚十	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	GC2111D	GEM-MICRO	2450+	SOT23-6	8540	只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	GC214		23+	TO-92	32687	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市一线半导体有限公司	GC21440AD		24+	BGA	42		询价
深圳市星佑电子有限公司	GC21440AD	INTEL	05+	原厂原装	4239	只做全新原装真实现货供应	询价
深圳市博浩通科技有限公司	GC21440AD	Intel	23+	BGA	1001	全新原装现货	询价

更多GC20N60F供应商更新时间2025-7-20 11:06:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2025 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号