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GC2002	文件：125.18 Kbytes Page：1 Pages	5 TO 2000 MHz TO-8 VOLTAGE CONTROLLED ATTENUATOR MODULE	TELEDYNETeledyne Technologies Incorporated 华特力科	TELEDYNE
GF2002	文件：1.26578 Mbytes Page：3 Pages	SPEAKER FEATURES •210mm •roundframe •20.0W •8Ω •ferritemagnet •papercone	CUID CUI Devices	CUID
GF2002H	文件：1.27641 Mbytes Page：3 Pages	SPEAKER FEATURES •210mm •roundframe •40.0W •8Ω •ferritemagnet •papercone	CUID CUI Devices	CUID
GT-BGA-2002	文件：318.09 Kbytes Page：4 Pages	Easilyremovableswivelsocketlid	IRONWOOD Ironwood Electronics.	IRONWOOD
GTL2002	文件：114.64 Kbytes Page：14 Pages	2-bitbi-directionallowvoltagetranslator Description Withinthesemiconductorworld,therearemanyI/Ostandardsthathavedifferentvoltagelevelrequirementsfortheinputvoltage(VIHorVIL)andoutputvoltage(VOHorVOL)typicallybasedonthedeviceoperatingvoltage.Thesevoltagelevelsdefinehowthedevicecommunicateswith	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
GTL2002D	文件：114.64 Kbytes Page：14 Pages	2-bitbi-directionallowvoltagetranslator Description Withinthesemiconductorworld,therearemanyI/Ostandardsthathavedifferentvoltagelevelrequirementsfortheinputvoltage(VIHorVIL)andoutputvoltage(VOHorVOL)typicallybasedonthedeviceoperatingvoltage.Thesevoltagelevelsdefinehowthedevicecommunicateswith	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
GTL2002DC	文件：114.64 Kbytes Page：14 Pages	2-bitbi-directionallowvoltagetranslator Description Withinthesemiconductorworld,therearemanyI/Ostandardsthathavedifferentvoltagelevelrequirementsfortheinputvoltage(VIHorVIL)andoutputvoltage(VOHorVOL)typicallybasedonthedeviceoperatingvoltage.Thesevoltagelevelsdefinehowthedevicecommunicateswith	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
GTL2002DP	文件：114.64 Kbytes Page：14 Pages	2-bitbi-directionallowvoltagetranslator Description Withinthesemiconductorworld,therearemanyI/Ostandardsthathavedifferentvoltagelevelrequirementsfortheinputvoltage(VIHorVIL)andoutputvoltage(VOHorVOL)typicallybasedonthedeviceoperatingvoltage.Thesevoltagelevelsdefinehowthedevicecommunicateswith	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
HAF2002	文件：38.27 Kbytes Page：7 Pages	SiliconNChannelMOSFETSeriesPowerSwitching Features ThisFEThastheovertemperatureshut–downcapabilitysensingtothejunctiontemperature. ThisFEThasthebuilt–inovertemperatureshut–downcircuitinthegatearea.Andthiscircuitoperationtoshut–downthegatevoltageincaseofhighjunctiontemperaturelikeapplyingoverpow	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HAF2002	文件：94.51 Kbytes Page：9 Pages	SiliconNChannelMOSFETSeriesPowerSwitching Description ThisFEThastheovertemperatureshut-downcapabilitysensingtothejunctiontemperature. ThisFEThasthebuilt-inovertemperatureshut-downcircuitinthegatearea.Andthiscircuitoperationtoshut-downthegatevoltageincaseofhighjunctiontemperaturelikeapplyingover	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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