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GB75DA120UP	文件：179.93 Kbytes Page：10 Pages	Insulated Gate Bipolar Transistor (Ultrafast IGBT), 75 A FEATURES • NPT Generation V IGBT technology • Square RBSOA • HEXFRED® low Qrr, low switching energy • Positive VCE(on) temperature coefficient • Fully isolated package • Speed 8 kHz to 60 kHz • Very low internal inductance ( 5 nH typical) • Industry standard outline 文件：179.93 Kbytes 页数：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
GB75DA120UP	文件：300 bytes Page：1 Pages	Insulated Gate Bipolar Transistor (Ultrafast IGBT), 75 A	Vishay 威世	Vishay
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APTGT75DA120TG	文件：257.39 Kbytes Page：5 Pages	Boost chopper Fast Trench Field Stop IGBT Power Module 文件：257.39 Kbytes 页数：5 Pages	Microsemi 美高森美	Microsemi

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更多GB75DA120UP供应商更新时间2025-11-19 13:00:00