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GAL16V8D-15LJ	文件：767.57 Kbytes Page：26 Pages	AllDevicesDiscontinued Features •HIGHPERFORMANCEE2CMOS®TECHNOLOGY —3.5nsMaximumPropagationDelay —Fmax=250MHz —3.0nsMaximumfromClockInputtoDataOutput —UltraMOS® AdvancedCMOSTechnology •50to75REDUCTIONINPOWERFROMBIPOLAR —75mATypIcconLowPowerDevice —45mATypIccon	LatticeLattice Semiconductor Corporation 莱迪思半导体
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GAL16V8D-15LJI	文件：316 Kbytes Page：22 Pages	HighPerformanceE2CMOSPLDGenericArrayLogic Description TheGAL16V8,at3.5nsmaximumpropagationdelaytime,combinesahighperformanceCMOSprocesswithElectricallyErasable(E2)floatinggatetechnologytoprovidethehighestspeedperformanceavailableinthePLDmarket.Highspeederasetimes( Features •HIGHPERFORMANCE	LatticeLattice Semiconductor Corporation 莱迪思半导体
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