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G80N03T	文件：839.24 Kbytes Page：6 Pages	丝印：G80N03；Package：TO-220；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G80N03T uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：839.24 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G80N03T	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V N Channel TRENCH MOSFET	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GE80N03	文件：300.54 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：300.54 Kbytes 页数：5 Pages	GTM 勤益投资控股	GTM
GE80N03	文件：304.3 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：304.3 Kbytes 页数：5 Pages	ETL 亚历电子	ETL
GI80N03	文件：246.29 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：246.29 Kbytes 页数：5 Pages	GTM 勤益投资控股	GTM

技术参数

Package：
TO-220
Type：
N
ESD Diode：
NO
Vds(V)：
30
Vgs(V)：
±20
Id(A)：
90
Pd(W)：
53.4
Vgs(th)max(V)：
2
Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=10V：
3.6
Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=4.5V：
5.3
Rds(on)mΩ(max)@Vgs=10V：
4
Rds(on)mΩ(max)@Vgs=4.5V：
7
Qg(nC)：
36
Qgs(nC)：
6
Qgd(nC)：
8
Ciss(pF)：
2150
Crss(pF)：
312
Technology：
TRENCH

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