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G60T120	文件：351.06 Kbytes Page：12 Pages	Low Loss IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
60T120	文件：351.06 Kbytes Page：12 Pages	LowLossIGBTinTrenchStopandFieldstoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
FGHL60T120RWD	文件：379.32 Kbytes Page：9 Pages	IGBT–Power,Co-PAKN-Channel,FieldStopVII(FS7),SCR,TO247-3L1200V,1.5V,60A Description Usingthenovelfieldstop7thgenerationIGBTtechnologyandthe Gen7DiodeinTO2473−leadpackage,FGHL60T120RWDoffersthe optimumperformancewithlowconductionlossesandgoodswitching controllabilityforahighefficiencyoperationinvariousapplications likemotorcontr	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FGY60T120SWD	文件：291.28 Kbytes Page：8 Pages	IGBT-Power,Co-PAKN-Channel,FieldStopVII(FS7),Non-SCR,TO247-3L1200V,1.7V,60A Description Usingthenovelfieldstop7thgenerationIGBTtechnologyandthe Gen7DiodeinTO2473−leadpackage,FGY60T120SWDoffersthe optimumperformancewithlowswitchingandconductionlossesfor high−efficiencyoperationsinvariousapplicationslikeSolar,UPS, andESS. Features •	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
IGW60T120	文件：416.49 Kbytes Page：12 Pages	LowLossIGBTinTrenchandFieldstoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IGW60T120	文件：351.06 Kbytes Page：12 Pages	LowLossIGBTinTrenchStopandFieldstoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IGW60T120	文件：406.53 Kbytes Page：2 Pages	FiedStopIGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.8V@IC=75A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·FastSwithching ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·SynchronousRectificationinSMPS ·AutomotiveChargers ·UPS,PFC ·Hig	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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