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HMG60N60A	文件：902.57 Kbytes Page：7 Pages	600Vinsulatedgatebipolartransistor	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HMG60N60T	文件：902.57 Kbytes Page：7 Pages	600Vinsulatedgatebipolartransistor	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
IXFH60N60X	文件：273.14 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFH60N60X	文件：171.9 Kbytes Page：5 Pages	PreliminaryTechnicalInformation	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFL60N60	文件：537.66 Kbytes Page：2 Pages	SingleDieMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFN60N60	文件：71.37 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsSingleDieMOSFET HiPerFETPowerMOSFETsSingleDieMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,Highdv/dt,Lowtrr Features •Internationalstandardpackages •miniBLOC,withAluminiumnitrideisolation •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInductiveSwi	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFQ60N60X	文件：302.06 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFQ60N60X	文件：171.9 Kbytes Page：5 Pages	PreliminaryTechnicalInformation	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGH60N60	文件：68.56 Kbytes Page：1 Pages	HIGHCURRENTMOSIGBT ComingSoon. Ifyouhavesomeinformationonrelatedparts,pleaseshareusefulinformationbyaddinglinksbelow.	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGH60N60	文件：95.92 Kbytes Page：4 Pages	Ultra-LowVCE(sat)IGBT Features •InternationalstandardpackageJEDECTO-247AD,TO-264,TO-268 •NewgenerationHDMOSTMprocess •LowVCE(sat)forminimumon-stateconductionlosses •Highcurrenthandlingcapability •MOSGateturn-ondrivesimplicity Applications •ACmotorspeedcontrol •DCservoandrobot	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGK60N60	文件：95.92 Kbytes Page：4 Pages	Ultra-LowVCE(sat)IGBT Features •InternationalstandardpackageJEDECTO-247AD,TO-264,TO-268 •NewgenerationHDMOSTMprocess •LowVCE(sat)forminimumon-stateconductionlosses •Highcurrenthandlingcapability •MOSGateturn-ondrivesimplicity Applications •ACmotorspeedcontrol •DCservoandrobot	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGN60N60	文件：67.35 Kbytes Page：2 Pages	Ultra-LowVCE(sat)IGBT Features ●InternationalstandardpackageSOT-227B ●Aluminiumnitrideisolation -highpowerdissipation ●Isolationvoltage3000V~ ●Veryhighcurrent,fastswitchingIGBT ●LowVCE(sat)forminimumon-stateconductionlosses ●MOSGateturn-ondrivesimplicity ●Lowcollector-to-cas	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGT60N60	文件：95.92 Kbytes Page：4 Pages	Ultra-LowVCE(sat)IGBT Features •InternationalstandardpackageJEDECTO-247AD,TO-264,TO-268 •NewgenerationHDMOSTMprocess •LowVCE(sat)forminimumon-stateconductionlosses •Highcurrenthandlingcapability •MOSGateturn-ondrivesimplicity Applications •ACmotorspeedcontrol •DCservoandrobot	IXYS IXYS Corporation	IXYS
NGTB60N60SWG	文件：101.18 Kbytes Page：7 Pages	IGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NP60N60VDK	文件：442.95 Kbytes Page：9 Pages	60V??60A??N-channelPowerMOSFETApplication:Automotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NST60N60SJ	文件：2.85866 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET60A/600V	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司	NELLSEMI
PS60N60	文件：194.45 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor-60Amp60Volt	SIRECTSirectifier Global Corp. 矽莱克半导体矽莱克半导体有限公司(深圳)	SIRECT
SSG60N60	文件：33.03 Kbytes Page：2 Pages	85AMP600VOLTSFASTPOWERIGBT	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
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更多G60N60SFD供应商更新时间2024-9-20 14:30:00

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