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G4BC40S	文件：157.2 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.32V, @Vge=15V, Ic=31A) Features •Standard:optimizedforminimumsaturation voltageandlowoperatingfrequencies(	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
G4BC40U	文件：169.87 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.72V, @Vge=15V, Ic=20A) Features •UltraFast:optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching,>200 kHzinresonantmode •Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 •IndustrystandardTO-220ABpackage Benefits •Gener	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRC4BC40F	文件：167.69 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC40F	文件：167.96 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.50V,@Vge=15V,Ic=27A) Features •Fast:optimizedformediumoperating frequencies(1-5kHzinhardswitching,>20 kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 •IndustrystandardTO-220ABpackage Benefits •Genera	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC40F	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	FitRate/EquivalentDeviceHours	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC40FD	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	FitRate/EquivalentDeviceHours	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC40FPBF	文件：260.22 Kbytes Page：8 Pages	FastSpeedIGBTINSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORFastSpeedIGBT Benefits •Generation4IGBTsofferhighestefficiencyavailable •IGBTsoptimizedforspecifiedapplicationconditions •Designedtobeadrop-inreplacementforequivalentindustry-standardGeneration3IRIGBTs Features •Fast:optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhards	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC40K	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	FitRate/EquivalentDeviceHours	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC40K	文件：156.96 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.1V,@Vge=15V,Ic=25A) Features •ShortCircuitRatedUltraFast:optimizedforhigh operatingfrequencies>5.0kHz,andShortCircuit Ratedto10µs@125°C,VGE=15V •Generation4IGBTdesignprovideshigherefficiency thanGeneration3 •IndustrystandardTO-247ACpackage Benefits •Generation4IGB	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC40KD	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	FitRate/EquivalentDeviceHours	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC40KPBF	文件：574.4 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features •ShortCircuitRatedUltraFast:optimizedforhigh operatingfrequencies>5.0kHz,andShortCircuit Ratedto10µs@125°C,VGE=15V •Generation4IGBTdesignprovideshigherefficiency thanGeneration3 •IndustrystandardTO-247ACpackage •Lead-Free Benefits •Gen	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC40KPBF	文件：284.89 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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IRG4BC40S	文件：157.2 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORStandardSpeedIGBT(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.32V,@Vge=15V,Ic=31A) Features •Standard:optimizedforminimumsaturation voltageandlowoperatingfrequencies(	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC40SD	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	FitRate/EquivalentDeviceHours	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC40SPBF	文件：582.17 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORStandardSpeedIGBT Features •Standard:optimizedforminimumsaturation voltageandlowoperatingfrequencies(	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC40SPBF	文件：306.65 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4BC40U	文件：169.87 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.72V,@Vge=15V,Ic=20A) Features •UltraFast:optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching,>200 kHzinresonantmode •Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 •IndustrystandardTO-220ABpackage Benefits •Gener	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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更多G4BC40供应商更新时间2024-6-14 16:30:00

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