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G3S12010H

包装:管件 封装/外壳:TO-220-2 整包 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 2-P

Global Power Technology Co. Ltd

Global Power Technology Co. Ltd

Global Power Technology Co. Ltd

G3S12010H

包装:剪切带(CT)带盒(TB) 封装/外壳:TO-220-2 整包 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 2-P

Global Power Technology-GPT

Global Power Technology-GPT

Global Power Technology-GPT

SC3S12010A

1200V/10ASiliconCarbidePowerSchottkyBarrierDiode

RECTRONRECTRON LTD

瑞创深圳市瑞创科技有限公司

SC3S12010B

1200V/10ASiliconCarbidePowerSchottkyBarrierDiode

RECTRONRECTRON LTD

瑞创深圳市瑞创科技有限公司

产品属性

  • 产品编号:

    G3S12010H

  • 制造商:

    Global Power Technology Co. Ltd

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    管件

  • 二极管类型:

    碳化硅肖特基

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    16.5A

  • 速度:

    无恢复时间 > 500mA(Io)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    765pF @ 0V,1MHz

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-2 整包

  • 供应商器件封装:

    TO-220F

  • 工作温度 - 结:

    -55°C ~ 175°C

  • 描述:

    SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 2-P

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
GPT/泰科天润
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Global Power Technology-GPT
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更多G3S12010H供应商 更新时间2024-6-23 9:00:00