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24N60C3	文件：230.42 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOSPowerTransistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances •Improvedtransconductance	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
ISPP24N60C3	文件：338.51 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRIPTION •Ultralowgatecharge •Ultraloweffectivecapacitance •Improvedtransconductance •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.16Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice per	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
ISPW24N60C3	文件：335.55 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Highpeakcurrentcapability •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤160mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPP24N60C3	文件：351.05 Kbytes Page：11 Pages	CoolMOS??PowerTransistorFeatureNewrevolutionaryhighvoltagetechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPP24N60C3	文件：250.81 Kbytes Page：11 Pages	CoolMOS??PowerTransistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •WorldwidebestRDS(on)inTO220 •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances •Improvedtransconductance •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Qualifiedaccordin	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPP24N60C3	文件：338.51 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRIPTION •Ultralowgatecharge •Ultraloweffectivecapacitance •Improvedtransconductance •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.16Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice per	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPW24N60C3	文件：335.55 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Highpeakcurrentcapability •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤160mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPW24N60C3	文件：230.42 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOSPowerTransistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances •Improvedtransconductance	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	G24N60D1	HARRIS	23+	TO-3P	5000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市特莱科技有限公司	G24N60D1D	IXYS/艾赛斯	24+23+	TO247	12580	16年现货库存供应商终端BOM表可配单提供样品	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	G24N60D1D	IXYS/艾赛斯	23+	NA/	15638	原装现货,当天可交货,原型号开票	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	G24N60D1D功率三极管	IXYS/艾赛斯	23+	TO247	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳廊盛科技有限公司	G24N60D1D功率三极管	IXYS/艾赛斯	2022	TO247	80000	原装现货,OEM渠道,欢迎咨询	询价
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深圳市赛尔通科技有限公司	G24N60DID		23+	TO-3P	65480		询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	G24P02S		24+	N/A	73000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	G24R12-06	Teledyne Technologies	2022+	原厂原包装	8600	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价

更多G24N60C3D供应商更新时间2024-9-23 17:25:00

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