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SFS888	文件：146.05 Kbytes Page：2 Pages	20AMPS15-200VOLTSSILICONCONTROLLEDRECTIFIER	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
SIR888DP	文件：136.2 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel25-V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIS888DN	文件：209.14 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel150V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SN888C	文件：434.02 Kbytes Page：22 Pages	Bus-PolarityCorrectingRS-485TransceiverforE-Meters	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
SN888CD	文件：434.02 Kbytes Page：22 Pages	Bus-PolarityCorrectingRS-485TransceiverforE-Meters	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
SN888CDR	文件：434.02 Kbytes Page：22 Pages	Bus-PolarityCorrectingRS-485TransceiverforE-Meters	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
STD888	文件：127.73 Kbytes Page：6 Pages	HIGHCURRENT,HIGHPERFORMANCE,LOWVOLTAGEPNPTRANSISTOR DESCRIPTION ThedeviceismanufacturedinlowvoltagePNPPlanarTechnologybyusingaBaseIslandlayout. TheresultingTransistorshowsexceptionalhighgainperformancecoupledwithverylowsaturationvoltage. ■VERYLOWCOLLECTORTOEMITTERSATURATIONVOLTAGE ■DCCURRENTGAIN,hFE>100	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STD888	文件：227.61 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION •LowCollector-EmitterSaturationVoltage-:VCE(sat)=-0.7V(Max)(IC=-5A;IB=-0.25A) •DCCurrentGain-hFE=150(Min)@IC=-0.5A •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS •Poweramplifierapplications •Voltageregulat	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STD888	文件：132.29 Kbytes Page：3 Pages	HIGHCURRENT,HIGHPERFORMANCE,LOWVOLTAGEPNPTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTCSTD888isahighcurrent,highperformance,lowvoltagePNPtransistor;itusesUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomershighDCcurrentgainandverylowsaturationvoltage. TheUTCSTD888issuitableforswitchingregulatorinbatterychargerapplications,heavyload	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
STN888	文件：107.62 Kbytes Page：9 Pages	HIGHCURRENT,HIGHPERFORMANCE,LOWVOLTAGEPNPTRANSISTOR Description ThedeviceismanufacturedinlowvoltagePNPPlanarTechnologybyusinga“BaseIsland”layout.Theresultingtransistorshowsexceptionalhighgainperformancecoupledwithverylowsaturationvoltage. Features ■VERYLOWCOLLECTORTOEMITTERSATURATIONVOLTAGE ■D.C.CURRENTGAI	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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更多FX-888D供应商更新时间2025-7-19 16:06:00

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