三相电机控制MCU

FU6832L是一款集成电机控制引擎(ME)和8051内核的高性能电机驱动专用芯片，ME集成FOC、MDU、LPF、PI、SVPWM/SPWM等诸多硬件模块，可硬件自动完成电机FOC/BLDC运算控制; 8051内核用于参数配置和日常事务处理，双核并行工作实现各种高性能电机控制。其中8051内核大部分指令周期为1T或2T，芯片内部集成有高速运算放大器、比较器、Pre-driver、高速ADC、高速乘/除法器、CRC、SPI、I2C、UART、LIN、多种TIMER、PWM等功能，内置高压LDO，适用于BLDC/PMSM电机的方波、SVPWM/SPWM、FOC驱动控制。\n\nFU6832L封装 • 电源电压：\nFU6832L: \n单电源高压模式：VCC_MODE=0，外部电源从VCC输入5～28V，VDD5由内部LDO产生\n单电源低压模式：VCC_MODE=1，外部电源从VDD5输入3～5.5V，同时将VCC与VDD5短接\n双电源模式：VCC_MODE=1，外部电源1从VCC输入5～36V，外部电源2从VDD5输入5V\n• 双核：8051内核和ME\n• 指令周期大多为1T或2T\n• 16kB Flash ROM、带CRC校验功能、支持程序自烧录和代码保护功能\n• 256 bytes IRAM，768 bytes XRAM\n• ME：比例积分/微分器(PI/PID)、;

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FU6832N是一款集成电机控制引擎(ME)和8051内核的高性能电机驱动专用芯片，ME集成FOC、MDU、LPF、PI、SVPWM/SPWM等诸多硬件模块，可硬件自动完成电机FOC/BLDC运算控制; 8051内核用于参数配置和日常事务处理，双核并行工作实现各种高性能电机控制。其中8051内核大部分指令周期为1T或2T，芯片内部集成有高速运算放大器、比较器、Pre-driver、高速ADC、高速乘/除法器、CRC、SPI、I2C、UART、LIN、多种TIMER、PWM等功能，内置高压LDO，适用于BLDC/PMSM电机的方波、SVPWM/SPWM、FOC驱动控制。\n\nFU6832N封装 • 电源电压：\nFU6832N: \n单电源高压模式：VCC_MODE=0，外部电源从VCC输入5～28V，VDD5由内部LDO产生\n单电源低压模式：VCC_MODE=1，外部电源从VDD5输入3～5.5V，同时将VCC与VDD5短接\n双电源模式：VCC_MODE=1，外部电源1从VCC输入5～36V，外部电源2从VDD5输入5V\n• 双核：8051内核和ME\n• 指令周期大多为1T或2T\n• 16kB Flash ROM、带CRC校验功能、支持程序自烧录和代码保护功能\n• 256 bytes IRAM，768 bytes XRAM\n• ME：比例积分/微分器(PI/PID)、;

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FU6832N1 是一款集成电机控制引擎(ME)和 8051 内核的高性能电机驱动专用芯片，ME 集成了 FOC、MDU、LPF、PID、SVPWM 等 诸 多 硬 件 模 块 ， 可 由 硬 件 自 动 完 成 有 感/无 感BLDC/PMSM 电机的 FOC 驱动/方波驱动的运算和控制; 8051 内核用于参数配置和日常事务处理，双核并行工作实现各种高性能电机控制。其中 8051 内核大部分指令周期为 1T 或 2T。芯片内部集成有高速运算放大器、比较器、Pre-driver、高速 ADC、CRC、SPI、I2C、UART、LIN、多种TIMER 等功能，内置高压 LDO，适用于 BLDC  电源电压：\n 单电源高压模式：VCC_MODE=0，外部电源从 VCC 输入 5～18V，VDD5 由内部\nLDO 产生\n 单电源低压模式：VCC_MODE=1，外部电源从 VDD5 输入 3～5.5V，同时将 VCC 与\nVDD5 短接\n 双电源模式：VCC_MODE=1，外部电源1从VCC输入5～18V，外部电源2从VDD5\n输入 5V\n 双核：8051 内核和 ME\n 指令周期大多为 1 或 2 个系统时钟周期\n 16kB Flash ROM、带 CRC 校验功能、支持程序自烧录和代码保护功能\n 256 bytes IRAM，768 bytes XR;

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U6832S是一款集成电机控制引擎(ME)和8051内核的高性能电机驱动专用芯片，ME集成FOC、MDU、LPF、PI、SVPWM/SPWM等诸多硬件模块，可硬件自动完成电机FOC/BLDC运算控制; 8051内核用于参数配置和日常事务处理，双核并行工作实现各种高性能电机控制

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