FTK60N04D规格书批发采购谷峰半导体FS第3页-114ic电子网

首页 >FTK60N04D>规格书列表

零件编号	下载订购	功能描述/丝印	制造商上传企业	LOGO
NP60N04MUG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP60N04MUG	文件：372.23 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=60A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=6.3mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NP60N04MUK	文件：1.59039 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
NP60N04MUK	文件：111.76 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Superlowon-stateresistance RDS(on)=4.3mMAX.(VGS=10V,ID=30A) •LowCiss:Ciss=2450pFTYP.(VDS=25V) •Designedforautomotiveapplication	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP60N04MUK	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP60N04MUK	文件：372.05 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=60A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.3mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NP60N04NUK	文件：281.16 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=60A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.3mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NP60N04NUK	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP60N04PDK	文件：278.91 Kbytes Page：8 Pages	40V–60A–N-channelPowerMOSFETApplication:Automotive Description TheNP60N04PDKisN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Superlowon-stateresistance RDS(on)=3.95mMAX.(VGS=10V,ID=30A) LowCiss:Ciss=2450pFTYP.(VDS=25V) Logicleveldrivetype Designedfor	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP60N04PDK	文件：346.21 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=60A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.95mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市南科功率半导体有限公司	FTK60N04D	NK/南科功率	2025+	TO-252	986966	国产	询价
深圳兆威电子有限公司	FTK6401	FS	23+	SOT-23	45000	原装正品现货	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	FTK6601S	FIRSTSILICON	23+	SOP-8	69000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	FTK6909T	FS	2022+	SOT-223	32500	原厂代理终端免费提供样品	询价
深圳市创新迹电子有限公司	FTK6909T	FS	2022+	SOT-223	30000	进口原装现货供应,原装假一罚十	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	FTK6909T	FS	20+	SOT-223	32500	现货很近!原厂很远!只做原装	询价

更多FTK60N04D供应商更新时间2025-7-20 14:01:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2025 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号