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FSYC9055D1	文件：51.81 Kbytes Page：8 Pages	Radiation Hardened, SEGR Resistant P-Channel Power MOSFETs Description TheDiscreteProductsOperationofHarrisSemiconductorhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticul	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
FSJ9055D1	文件：66.24 Kbytes Page：8 Pages	55A,-60V,0.029Ohm,RadHard,SEGRResistant,P-ChannelPowerMOSFETs Description TheDiscreteProductsOperationofHarrisSemiconductorhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticul	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
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FSTYC9055D1	文件：74.86 Kbytes Page：8 Pages	RadiationHardened,SEGRResistantP-ChannelPowerMOSFETs TheDiscreteProductsOperationofIntersilhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.ImmunitytoSingleEventEffects(SEE)iscombinedwith100KRADsoftotaldosehardnesstoprovidedeviceswhichareideallysuite	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil

详细参数

型号：
FSYC9055D1
制造商：
INTERSIL
制造商全称：
Intersil Corporation
功能描述：
Radiation Hardened, SEGR Resistant P-Channel Power MOSFETs

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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