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文件：56.38 Kbytes

Page：8 Pages

10A, -100V, 0.280 Ohm, Radiation Hardened, SEGR Resistant, P-Channel Power MOSFETs

TheDiscreteProductsOperationofIntersilhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticular,iscombinedwith100K

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7A,-100V,0.300Ohm,RadHard,SEGRResistant,P-ChannelPowerMOSFETs

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RadiationHardened,SEGRResistantP-ChannelPowerMOSFETs

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详细参数

型号：
FSS913A0R1
制造商：
INTERSIL
制造商全称：
Intersil Corporation
功能描述：
10A, -100V, 0.280 Ohm, Radiation Hardened, SEGR Resistant, P-Channel Power MOSFETs

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