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FSS13A0R	文件：71.31 Kbytes Page：8 Pages	2A, 100V, 0.170 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs TheDiscreteProductsOperationofIntersilCorporationhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticular,iscombin	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FSS13A0R1	文件：71.31 Kbytes Page：8 Pages	2A, 100V, 0.170 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs TheDiscreteProductsOperationofIntersilCorporationhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticular,iscombin	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FSS13A0R3	文件：71.31 Kbytes Page：8 Pages	2A, 100V, 0.170 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs TheDiscreteProductsOperationofIntersilCorporationhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticular,iscombin	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FSS13A0R4	文件：71.31 Kbytes Page：8 Pages	2A, 100V, 0.170 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs TheDiscreteProductsOperationofIntersilCorporationhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticular,iscombin	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FSYE13A0D	文件：55.68 Kbytes Page：8 Pages	RadiationHardened,SEGRResistantN-ChannelPowerMOSFETs TheDiscreteProductsOperationofIntersilhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticular,iscombinedwith100K	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FSYE13A0R	文件：55.68 Kbytes Page：8 Pages	RadiationHardened,SEGRResistantN-ChannelPowerMOSFETs TheDiscreteProductsOperationofIntersilhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticular,iscombinedwith100K	Intersil Intersil Corporation	Intersil
LWTN-13A0	文件：146.39 Kbytes Page：5 Pages	PowerTransducerSeriesL-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM
LWTN-13A0SLASHQ	文件：146.39 Kbytes Page：5 Pages	PowerTransducerSeriesL-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM

详细参数

型号：
FSS13A0R
制造商：
INTERSIL
制造商全称：
Intersil Corporation
功能描述：
2A, 100V, 0.170 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs

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更多FSS13A0R供应商更新时间2025-7-10 17:21:00

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