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FSL13	文件：390.91 Kbytes Page：4 Pages	Surface Mount Schottky Rectifier 文件：390.91 Kbytes 页数：4 Pages	Good-Ark 固锝电子	Good-Ark
FSL136HR	文件：565.09 Kbytes Page：15 Pages	丝印：FSL136HR；Package：DIP；Green Mode Power Switch 文件：565.09 Kbytes 页数：15 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FSL136HRL	文件：565.09 Kbytes Page：15 Pages	丝印：FSL136HR；Package：LSOP；Green Mode Power Switch 文件：565.09 Kbytes 页数：15 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FSL136HRLX	文件：565.09 Kbytes Page：15 Pages	丝印：FSL136HR；Package：LSOP；Green Mode Power Switch 文件：565.09 Kbytes 页数：15 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FSL136MR	文件：408.79 Kbytes Page：13 Pages	丝印：FSL136MR；Package：DIP；Green Mode Power Switch 文件：408.79 Kbytes 页数：13 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FSL130D	文件：45.97 Kbytes Page：8 Pages	8A, 100V, 0.230 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs Description The Discrete Products Operation of Intersil Corporation has developed a series of Radiation Hardened MOSFETs specifically designed for commercial and military space applications. Enhanced Power MOSFET immunity to Single Event Effects (SEE), Single Event Gate Rupture (SEGR) in particul 文件：45.97 Kbytes 页数：8 Pages	Intersil	Intersil
FSL130D1	文件：45.97 Kbytes Page：8 Pages	8A, 100V, 0.230 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs Description The Discrete Products Operation of Intersil Corporation has developed a series of Radiation Hardened MOSFETs specifically designed for commercial and military space applications. Enhanced Power MOSFET immunity to Single Event Effects (SEE), Single Event Gate Rupture (SEGR) in particul 文件：45.97 Kbytes 页数：8 Pages	Intersil	Intersil
FSL130D3	文件：45.97 Kbytes Page：8 Pages	8A, 100V, 0.230 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs Description The Discrete Products Operation of Intersil Corporation has developed a series of Radiation Hardened MOSFETs specifically designed for commercial and military space applications. Enhanced Power MOSFET immunity to Single Event Effects (SEE), Single Event Gate Rupture (SEGR) in particul 文件：45.97 Kbytes 页数：8 Pages	Intersil	Intersil
FSL130R	文件：45.97 Kbytes Page：8 Pages	8A, 100V, 0.230 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs Description The Discrete Products Operation of Intersil Corporation has developed a series of Radiation Hardened MOSFETs specifically designed for commercial and military space applications. Enhanced Power MOSFET immunity to Single Event Effects (SEE), Single Event Gate Rupture (SEGR) in particul 文件：45.97 Kbytes 页数：8 Pages	Intersil	Intersil
FSL130R1	文件：45.97 Kbytes Page：8 Pages	8A, 100V, 0.230 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs Description The Discrete Products Operation of Intersil Corporation has developed a series of Radiation Hardened MOSFETs specifically designed for commercial and military space applications. Enhanced Power MOSFET immunity to Single Event Effects (SEE), Single Event Gate Rupture (SEGR) in particul 文件：45.97 Kbytes 页数：8 Pages	Intersil	Intersil

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Control Mode：
Current Mode
fsw Typ (kHz)：
100
RDS(ON) Typ (Ω)：
3.5
V(BR)DSS Max (V)：
650
IPeak (mA)：
2150
HV Start-up Min (V)：
Yes
UVLO：
Yes
Short Circuit Protection：
Yes
Latch：
No
Package Type：
PDIP-8

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FSL13供应商更新时间2025-10-7 10:31:00

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