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FSH10A09	文件：58.06 Kbytes Page：6 Pages	Schottky Barrier Diode FEATURES SimilartoTO-220ACCase FullyMoldedIsolation LowForwardVoltageDrop LowPowerLoss,HighEfficiency HighSurgeCapability Tj=150°Coperation	NIEC Nihon Inter Electronics Corporation	NIEC
FSH10A09B	文件：58.45 Kbytes Page：6 Pages	Schottky Barrier Diode FEATURES SimilartoTO-220ABCase FullyMoldedIsolation LowForwardVoltageDrop LowPowerLoss,HighEfficiency HighSurgeCapability Tj=150°Coperation	NIEC Nihon Inter Electronics Corporation	NIEC
AGQ10A09Z	文件：115.49 Kbytes Page：4 Pages	ULTRA-SMALLPACKAGEFLATPOLARIZEDRELAY	NAISNais(Matsushita Electric Works) 松下电器松下电器机电(中国)有限公司	NAIS
ARE10A09NIL	文件：120.52 Kbytes Page：5 Pages	2.6GHzSMALLMICROWAVERELAYS FEATURES •Excellenthighfrequencycharacteristics(to2.6GHz) •Surface-mounttypealsoavailable •Compactandslimsize Size:20.2(L)×11.2(W)×8.9(H)mm.795(L)×.441(W)×.350(H)inch TheheightofSurface-mounttypeis9.6mm.378inchsize. TYPICALAPPLICATIONS 1.Broa	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
ARE10A09Z	文件：120.52 Kbytes Page：5 Pages	2.6GHzSMALLMICROWAVERELAYS FEATURES •Excellenthighfrequencycharacteristics(to2.6GHz) •Surface-mounttypealsoavailable •Compactandslimsize Size:20.2(L)×11.2(W)×8.9(H)mm.795(L)×.441(W)×.350(H)inch TheheightofSurface-mounttypeis9.6mm.378inchsize. TYPICALAPPLICATIONS 1.Broa	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
FCH10A09	文件：28.84 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierDiode FEATURES SimilartoTO-220ABCase FullyMoldedIsolation DualDiodes–CathodeCommon LowForwardVoltageDrop LowPowerLoss,HighEfficiency HighSurgeCapability *Tj=150°Coperation	NIEC Nihon Inter Electronics Corporation	NIEC
GCH10A09	文件：54.92 Kbytes Page：6 Pages	SchottkyBarrierDiode	NIEC Nihon Inter Electronics Corporation	NIEC
GSH10A09	文件：56.24 Kbytes Page：6 Pages	SchottkyBarrierDiode FEATURES SimilartoTO-220ACCase LowForwardVoltageDrop LowPowerLoss,HighEfficiency HighSurgeCapability *Tj=150°Coperation	NIEC Nihon Inter Electronics Corporation	NIEC
GSH10A09B	文件：52.07 Kbytes Page：6 Pages	SchottkyBarrierDiode FEATURES SimilartoTO-220ABCase LowForwardVoltageDrop LowPowerLoss,HighEfficiency HighSurgeCapability *Tj=150°Coperation	NIEC Nihon Inter Electronics Corporation	NIEC
ZXMN10A09K	文件：197.89 Kbytes Page：7 Pages	100VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFETINDPAK SUMMARY V(BR)DSS=100V:RDS(on)=0.085;ID=7.7A DESCRIPTION ThisnewgenerationofTrenchMOSFETsfromZetexutilizesauniquestructurethatcombinesthebenefitsoflowon-resistancewithfastswitchingspeed.Thismakesthemidealforhighefficiency,lowvoltagepowermanagementapp	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex

详细参数

型号：
FSH10A09
制造商：
NIEC
制造商全称：
Nihon Inter Electronics Corporation
功能描述：
Schottky Barrier Diode

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FSH10A09供应商更新时间2025-5-15 14:24:00

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