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FSF254R	文件：45.29 Kbytes Page：8 Pages	18A, 250V, 0.170 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs Description TheDiscreteProductsOperationofIntersilCorporationhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticul	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社
FSF254R1	文件：45.29 Kbytes Page：8 Pages	18A, 250V, 0.170 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs Description TheDiscreteProductsOperationofIntersilCorporationhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticul	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社
FSF254R3	文件：45.29 Kbytes Page：8 Pages	18A, 250V, 0.170 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs Description TheDiscreteProductsOperationofIntersilCorporationhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticul	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社
FSF254R4	文件：45.29 Kbytes Page：8 Pages	18A, 250V, 0.170 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs Description TheDiscreteProductsOperationofIntersilCorporationhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticul	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社
254	文件：102.23 Kbytes Page：1 Pages	FuseBlocksandClips-ForNANO2SurfaceMountFuses	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司
254	文件：377.96 Kbytes Page：2 Pages	TwoAxis,Micro-stickControllerWithOptionalMomentarySwitch	CTSCTS Electronic Components 西迪斯西迪斯公司
254X	文件：72.11 Kbytes Page：1 Pages	WILMAR??ProtectiveRelays-250Series,Over/Undervoltage	MACOM Tyco Electronics
254X	文件：68.76 Kbytes Page：2 Pages	3M??LappingFilmAluminumOxide254X	3MMinnesota Mining and Manufacturing 明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司
AD254	文件：256.16 Kbytes Page：6 Pages	MultiTunerSet-TopBoxes	RFHICRFHIC RFHIC
AM254	文件：151.1 Kbytes Page：2 Pages	PRESSFITAUTOMOTIVERECTIFIER	CHENYIShanghai Lunsure Electronic Tech 商朗电子上海商朗电子科技有限公司
AOB254L	文件：297.32 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
AOB254L	文件：1.00427 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel150V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
AOB254L	文件：311.9 Kbytes Page：6 Pages	150VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAOT254L/AOB254LusesTrenchMOSFETtechnologythatisuniquelyoptimizedtoprovidethemostefficienthighfrequencyswitchingperformance.BothconductionandswitchingpowerlossesareminimizedduetoanextremelylowcombinationofRDS(ON),CissandCoss.Thisdevice	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AOD254	文件：334.39 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
AOD254	文件：307.26 Kbytes Page：6 Pages	150VN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AOT254L	文件：311.9 Kbytes Page：6 Pages	150VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAOT254L/AOB254LusesTrenchMOSFETtechnologythatisuniquelyoptimizedtoprovidethemostefficienthighfrequencyswitchingperformance.BothconductionandswitchingpowerlossesareminimizedduetoanextremelylowcombinationofRDS(ON),CissandCoss.Thisdevice	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AOT254L	文件：303.82 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
AOT254L	文件：1.22926 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司
AQV254	文件：88.99 Kbytes Page：4 Pages	Bothlowon-resistanceandgoodcost-performanceachieved.Measuringinstruments FEATURES 1.Widevariationof40V,60V,100V,200V,250V,400V,600V,1,000Vand1,500Vloadvoltage 2.Lowon-resistanceoftyp.0.6Ω(AQV251) 3.Reinforcedinsulationtypeof5,000VI/Oisolationavailable TYPICALAPPLICATIONS •Measuringinstruments •Datacommunicationequipment •Telep	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器
AQV254	文件：56.93 Kbytes Page：4 Pages	HE(High-functionEconomy)Type[1-Channel(FormA)Type] FEATURES 1.Highlysensitiveandlowon-resistance 2.Controlsvarioustypesofloadssuch asrelays,motors,lampsandsolenoids. 3.Opticalcouplingforextremelyhighisolation 5,000VrmsI/Oisolationavailable. 4.Low-leveloffstateleakagecurrent 5.Eliminatestheneedforap	NAISPanasonic electrical machinery (China) Co. , Ltd. 松下电器松下电器机电(中国)有限公司

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详细参数

型号：
FSF254R
制造商：
INTERSIL
制造商全称：
Intersil Corporation
功能描述：
18A, 250V, 0.170 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs

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更多FSF254R供应商更新时间2024-4-28 15:00:00

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