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FSBCW30	文件：43.81 Kbytes Page：5 Pages	PNP General Purpose Amplifier PNPGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposemediumpower amplifiersandswitchesrequiringcollectorcurrentsto300mA. SourcedfromProcess68.SeeBC857Aforcharacteristics.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FSBCW30	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 32V 0.5A SOT23-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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FSBCW30

文件：43.81 Kbytes

Page：5 Pages

PNP General Purpose Amplifier

PNPGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposemediumpower amplifiersandswitchesrequiringcollectorcurrentsto300mA. SourcedfromProcess68.SeeBC857Aforcharacteristics.

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

FSBCW30

文件：100 bytes

Page：1 Pages

Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 32V 0.5A SOT23-3

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

产品属性

产品编号：
FSBCW30
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 500µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
215 @ 2mA，5V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS PNP 32V 0.5A SOT23-3

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