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FQT1N80	文件：802.93 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel MOSFET Description This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor®’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high 文件：802.93 Kbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQT1N80	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，800 V，0.2 A，20 Ω，SOT-223 该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。 •0.2A, 800V, RDS(on)= 15.5Ω（典型值）@VGS = 10 V, ID = 0.1A栅极电荷低（典型值：5.5nC)\n•低 Crss（典型值2.7pF)\n•100% 经过雪崩击穿测试\n•符合 RoHS 标准\n•RoHS compliant;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FQT1N80TF	文件：814.18 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel MOSFET 800V, 0.2A, 20 Description This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor®’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high 文件：814.18 Kbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQT1N80TFWS	文件：802.93 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel MOSFET Description This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor®’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high 文件：802.93 Kbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
V(BR)DSS Min (V)：
800
VGS Max (V)：
±30
VGS(th) Max (V)：
5
ID Max (A)：
0.2
PD Max (W)：
2.1
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
20000
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
5.5
Ciss Typ (pF)：
150
Package Type：
SOT-223-4/TO-261-4

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更多FQT1N80供应商更新时间2025-11-19 14:00:00

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