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KF9N25F	文件：97.27 Kbytes Page：7 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.ItismainlysuitableforDC/DCConvertersandswitchingmodepowersupplies. FEATURES ·VDSS=250V,ID=9.0A ·Drai	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KF9N25P	文件：97.27 Kbytes Page：7 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.ItismainlysuitableforDC/DCConvertersandswitchingmodepowersupplies. FEATURES ·VDSS=250V,ID=9.0A ·Drai	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KSM9N25C	文件：1.85015 Mbytes Page：7 Pages	250VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMD9N25	文件：1.63966 Mbytes Page：8 Pages	250VN-CHANNELMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMF9N25C	文件：1.85015 Mbytes Page：7 Pages	250VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMU9N25	文件：1.63966 Mbytes Page：8 Pages	250VN-CHANNELMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MTB9N25E	文件：293.63 Kbytes Page：12 Pages	HighEnergyPowerFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTB9N25E	文件：258.75 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET9.0AMPERES250VOLTS TheD2PAKpackagehasthecapabilityofhousingalargerdiethananyexistingsurfacemountpackagewhichallowsittobeusedinapplicationsthatrequiretheuseofsurfacemountcomponentswithhigherpowerandlowerRDS(on)capabilities.ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationscheme	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTP9N25	文件：206.33 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET9.0AMPERES250VOLTSRDS(on)=0.45OHM TMOSE-FETPowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecoverytime.Designedforlowv	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTP9N25E	文件：213.11 Kbytes Page：7 Pages	PowerFieldEffectTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
FQPF9N25
功能描述：
MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	FQPF9N25	onsemi(安森美)	24+	TO-220F	8498	支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。	询价
深圳市星佑电子有限公司	FQPF9N25	仙童	06+	TO-220F	4000	原装	询价
深圳市永贝尔科技有限公司	FQPF9N25	FAIRCHILD	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
深圳市鼎盛源芯科技有限公司	FQPF9N25	harris	16+	原厂封装	10000	全新原装正品,代理优势渠道供应,欢迎来电咨询	询价
深圳市正迈科技有限公司	FQPF9N25	FSC/ON	23+	原包装原封 □□	600	原装进口特价供应特价，原装元器件供应，支持开发样品更多详细咨询库存	询价
深圳市金芯阳科技有限公司	FQPF9N25	PANASONIC	24+	只做原装	10000	原装正品清库存低价出	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	FQPF9N25	Fairchild/ON	22+	TO2203	9000	原厂渠道,现货配单	询价
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深圳市旺财半导体有限公司	FQPF9N25	Fairchild	23+		33500		询价
深圳市创新迹电子有限公司	FQPF9N25	FAIRC	23+	TO-220F	7300	专注配单,只做原装进口现货	询价

更多FQPF9N25供应商更新时间2025-7-19 16:12:00

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