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HRH13N50BNB	文件：2.89917 Mbytes Page：12 Pages	500VN-ChannelPlanarMOSFET Features RDSON=0.38Ω@Vgs=10V,Id=6.5A LowgateCharge(typical40.1nC) LowCrss(typical6.6pF) Fastswitchingcapability 100avalanchetested Improveddv/dtcapability HalogenfreeandRoHScompliant Applications SwitchModePowerSupply UninterruptiblePowerSupply(UPS) TVPower Ad	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
HRH13N50BNF	文件：2.89917 Mbytes Page：12 Pages	500VN-ChannelPlanarMOSFET Features RDSON=0.38Ω@Vgs=10V,Id=6.5A LowgateCharge(typical40.1nC) LowCrss(typical6.6pF) Fastswitchingcapability 100avalanchetested Improveddv/dtcapability HalogenfreeandRoHScompliant Applications SwitchModePowerSupply UninterruptiblePowerSupply(UPS) TVPower Ad	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
HRH13N50BNP	文件：2.89917 Mbytes Page：12 Pages	500VN-ChannelPlanarMOSFET Features RDSON=0.38Ω@Vgs=10V,Id=6.5A LowgateCharge(typical40.1nC) LowCrss(typical6.6pF) Fastswitchingcapability 100avalanchetested Improveddv/dtcapability HalogenfreeandRoHScompliant Applications SwitchModePowerSupply UninterruptiblePowerSupply(UPS) TVPower Ad	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
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详细参数

型号：
FQPF13N50T
功能描述：
MOSFET 500V N-Channel QFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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