FQP6N90C中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书
FQP6N90C规格书详情
描述 Description
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
特性 Features
• 6.0 A, 900 V, RDS(on)= 2.3 Ω(Max.) @ VGS= 10 V,ID= 3.0 A
• Low Gate Charge (Typ. 30nC)
• Low Crss (Typ. 11pF)
• 100 Avalanche Tested
产品属性
- 型号：
FQP6N90C
- 功能描述：
MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
TO220-3 |
10048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
Fairchild |
23+ |
TO-220 |
20000 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
25+ |
TO-220 |
90000 |
ONSEMI/安森美全新特价FQP6N90C即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
ON |
23+ |
NA |
6800 |
原装正品,力挺实单 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ONSEMI/安森美 |
24+ |
原厂原封可拆样 |
65258 |
百分百原装现货,实单必成 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO-220F |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
FSC |
1950+ |
TO220 |
9852 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
TO-220-3 |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
询价 |
