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SSF3N80F	文件：1.26125 Mbytes Page：7 Pages	800VN-ChannelMOSFET	Good-Ark GOOD-ARK Electronics	Good-Ark
SSFP3N80	文件：201.64 Kbytes Page：2 Pages	StarMOSTPowerMOSFET	Good-Ark GOOD-ARK Electronics	Good-Ark
SSI3N80A	文件：348.26 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SSP3N80A	文件：687.05 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■LowerLeakageCurrent:25μA(Max.)@VDS=800V ■LowRDS(ON):3.800W(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SSP3N80A	文件：344.92 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SSS3N80	文件：2.1211 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SSS3N80	文件：281.01 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
SSS3N80A	文件：321.97 Kbytes Page：6 Pages	ADVANCEDPOWERMOSFET	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
SSS3N80A	文件：271.51 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SSS3N80A	文件：2.12105 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
FQP3N80C_Q
功能描述：
MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FQP3N80C_Q供应商更新时间2025-7-20 11:00:00

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