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FQP27P06	文件：1.3997 Mbytes Page：8 Pages	-60V P-Channel MOSFET Features VDS(V)=-60V ID=-13.5A(VGS=-10V) *RDS(ON)	UMWUMW 友台友台半导体
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FQP27P06	文件：299.42 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
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27P06	文件：674.11 Kbytes Page：8 Pages	60VP-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
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FQB27P06TM	文件：1.5324 Mbytes Page：8 Pages	P-ChannelQFET짰MOSFET-60V,-27A,70m廓 GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithst	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQI27P06	文件：700.34 Kbytes Page：9 Pages	60VP-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithst	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQPF27P06	文件：674.11 Kbytes Page：8 Pages	60VP-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQPF27P06	文件：1.6128 Mbytes Page：7 Pages	P-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
KQB27P06	文件：64.75 Kbytes Page：2 Pages	60VP-ChannelMOSFET	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
KSM27P06	文件：1.79162 Mbytes Page：6 Pages	60VP-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.
KSMB27P06	文件：645.94 Kbytes Page：4 Pages	Greendeviceavailable.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.
KSMF27P06	文件：1.94417 Mbytes Page：7 Pages	60VP-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.

详细参数

型号：
FQP27P06
功能描述：
MOSFET 60V P-Channel QFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FQP27P06供应商更新时间2024-4-27 14:14:00

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