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FQD2N60C中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

FQD2N60C

功能描述

600V N-Channel MOSFET

文件大小

617.97 Kbytes

页面数量

9

生产厂商

Fairchild

中文名称

仙童半导体

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数据手册

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更新时间

2025-12-2 13:04:00

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FQD2N60C规格书详情

描述 Description

This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.

特性 Features

• 1.9 A, 600 V, RDS(on) = 4.7 Ω (Max.) @ VGS = 10 V, ID = 0.95 A

• Low Gate Charge (Typ. 8.5 nC)

• Low Crss (Typ. 4.3 pF)

• 100 Avalanche Tested

• RoHS Compliant

产品属性

  • 型号:

    FQD2N60C

  • 制造商:

    FAIRCHILD

  • 制造商全称:

    Fairchild Semiconductor

  • 功能描述:

    600V N-Channel MOSFET

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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