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HRH9N50ANFT	文件：3.09399 Mbytes Page：12 Pages	500VN-ChannelPlanarMOSFET Features RDSON=0.59Ω@Vgs=10V,Id=4.5A LowgateCharge(typical29.4nC) LowCrss(typical4.2pF) Fastswitchingcapability 100%avalanchetested Improveddv/dtcapability HalogenfreeandRoHScompliant Applications SwitchModePowerSupply UninterruptiblePowerSupply(UPS) TVPower	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
HRH9N50ANP	文件：3.09399 Mbytes Page：12 Pages	500VN-ChannelPlanarMOSFET Features RDSON=0.59Ω@Vgs=10V,Id=4.5A LowgateCharge(typical29.4nC) LowCrss(typical4.2pF) Fastswitchingcapability 100%avalanchetested Improveddv/dtcapability HalogenfreeandRoHScompliant Applications SwitchModePowerSupply UninterruptiblePowerSupply(UPS) TVPower	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
HRH9N50ANU	文件：3.09399 Mbytes Page：12 Pages	500VN-ChannelPlanarMOSFET Features RDSON=0.59Ω@Vgs=10V,Id=4.5A LowgateCharge(typical29.4nC) LowCrss(typical4.2pF) Fastswitchingcapability 100%avalanchetested Improveddv/dtcapability HalogenfreeandRoHScompliant Applications SwitchModePowerSupply UninterruptiblePowerSupply(UPS) TVPower	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
HRH9N50ANX	文件：3.09399 Mbytes Page：12 Pages	500VN-ChannelPlanarMOSFET Features RDSON=0.59Ω@Vgs=10V,Id=4.5A LowgateCharge(typical29.4nC) LowCrss(typical4.2pF) Fastswitchingcapability 100%avalanchetested Improveddv/dtcapability HalogenfreeandRoHScompliant Applications SwitchModePowerSupply UninterruptiblePowerSupply(UPS) TVPower	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
JCS9N50C	文件：2.5848 Mbytes Page：12 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
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JCS9N50F	文件：1.02844 Mbytes Page：10 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
JCS9N50FC-O-F-N-B	文件：2.5848 Mbytes Page：12 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
JCS9N50F-O-F-N-B	文件：1.02844 Mbytes Page：10 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC

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详细参数

型号：
FQB9N50TM
功能描述：
MOSFET 500V N-Channel QFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FQB9N50TM供应商更新时间2025-7-19 14:00:00

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