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FQI85N06	文件：654.35 Kbytes Page：9 Pages	60VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQP85N06	文件：647.41 Kbytes Page：8 Pages	60VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQP85N06	文件：296.91 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=85A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.01Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQPF85N06	文件：278.08 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=53A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.01Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQPF85N06	文件：665.14 Kbytes Page：8 Pages	60VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQPF85N06	文件：950.54 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
HRP85N06K	文件：824.87 Kbytes Page：8 Pages	60VN-ChannelTrenchMOSFET	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
KSM85N06	文件：1.9219 Mbytes Page：7 Pages	60VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMF85N06	文件：1.9219 Mbytes Page：7 Pages	60VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MS85N06	文件：725.91 Kbytes Page：3 Pages	Improveddv/dtCapability,HighRuggedness	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH

详细参数

型号：
FQB85N06TM
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
- Bulk

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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