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FQB5N30	文件：770.26 Kbytes Page：9 Pages	300V N-Channel MOSFET Features •5.4A,300V,RDS(on)=0.9Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical9.8nC) •LowCrss(typical9.5pF) •Fastswitching •100avalanchetested •Improveddv/dtcapability	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQB5N30	文件：287.41 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=5.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=300V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.9Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQD5N30	文件：757.79 Kbytes Page：9 Pages	300VN-ChannelMOSFET 300VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQI5N30	文件：770.26 Kbytes Page：9 Pages	300VN-ChannelMOSFET Features •5.4A,300V,RDS(on)=0.9Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical9.8nC) •LowCrss(typical9.5pF) •Fastswitching •100avalanchetested •Improveddv/dtcapability	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQP5N30	文件：754.29 Kbytes Page：8 Pages	300VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproductusingFairchildsproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancetechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQPF5N30	文件：763.75 Kbytes Page：8 Pages	300VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproductusingFairchildsproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancetechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQU5N30	文件：757.79 Kbytes Page：9 Pages	300VN-ChannelMOSFET 300VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQU5N30	文件：331.05 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=4.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=300V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.9Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
HM5N30K	文件：1.13672 Mbytes Page：6 Pages	300VN-ChannelEnhancementModeMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM5N30PR	文件：1.69558 Mbytes Page：10 Pages	SiliconN-ChannelPowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI

详细参数

型号：
FQB5N30
功能描述：
MOSFET 300V N-Channel QFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	FQB5N30	FAIRCHILD	24+	TO-263(D2PAK)	8866		询价
深圳市星佑电子有限公司	FQB5N30	仙童	06+	TO-263	3800	原装库存	询价
深圳市永贝尔科技有限公司	FQB5N30	FAIRCHILD	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
深圳市宇集芯电子有限公司	FQB5N30	FAIRCHIL	24+	TO-263	90000	一级代理商进口原装现货、价格合理	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	FQB5N30	ON/安森美	23+	TO-220-3	69820	终端可以免费供样,支持BOM配单!	询价
深圳市澳亿芯电子科技有限公司	FQB5N30	FAIRCHILD	1709+	SOT-263	32500	普通	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	FQB5N30	FAIRCHILD/仙童	22+	TO-263(D2PAK)	6000	十年配单,只做原装	询价
深圳市胜彬电子有限公司	FQB5N30	FAIRCILD	22+	TO-263	8000	原装正品支持实单	询价
深圳庞田科技有限公司	FQB5N30	FAIRCHILD	2023+环保现货	TO-263	20000	专注军工、汽车、医疗、工业等方案配套一站式服务	询价
深圳市创新迹电子有限公司	FQB5N30	FAIRC	23+	TO-263(D2PAK)	7300	专注配单,只做原装进口现货	询价

更多FQB5N30供应商更新时间2025-7-14 16:30:00

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