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FQB2P40	文件：586.58 Kbytes Page：9 Pages	400V P-Channel MOSFET General Description These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology is especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand a 文件：586.58 Kbytes 页数：9 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQB2P40	文件：300 bytes Page：1 Pages	400V P-Channel MOSFET	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FQD2P40	文件：715.08 Kbytes Page：9 Pages	400V P-Channel MOSFET General Description These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology is especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand a 文件：715.08 Kbytes 页数：9 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQD2P40	文件：702.95 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel QFET MOSFET -400 V, -1.56 A, 6.5 文件：702.95 Kbytes 页数：8 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQD2P40TM	文件：702.95 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel QFET MOSFET -400 V, -1.56 A, 6.5 文件：702.95 Kbytes 页数：8 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

详细参数

型号：
FQB2P40
功能描述：
MOSFET 400V P-Channel QFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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