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FMV60N280S2HF

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 13A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.28Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-

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ISC

无锡固电

FMV60N280S2HF

功率MOSFET 600V-700V

FUJI

富士通

FMP60N280S2HF

isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

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更多FMV60N280S2供应商 更新时间2025-10-27 16:27:00