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IL721E	文件：760.91 Kbytes Page：20 Pages	HighSpeedTwo-ChannelDigitalIsolators Features •Highspeed:150Mbpstypical(S-Series) •Hightemperature:−40°Cto+125°C(T-SeriesandV-Series •6kVRMSReinforcedIsolation;1.2kVRMSWorkingVoltage(V-Series) •2.7to5.5voltsupplyrange •100kV/μsCommonModeTransientImmunity •NocarrierorclockforlowEMIemi	NVE NVE Corporation	NVE
IL721V	文件：821.36 Kbytes Page：15 Pages	HighIsolationVoltageDigitalIsolators Features •5000VRMS/7072VPKisolationvoltage(1minute;perUL1577) •1000VRMS/1415VPKworkingvoltage(VIORM)underVDE0884-10 •10kVRMSsurgevoltageunderVDE0884-10 •Hightemperature:−40°Cto+125°C •50kV/μstyp.;30kV/μsmin.commonmodetransientimmunity •Nocarrierorcl	NVE NVE Corporation	NVE
IL721VE	文件：760.91 Kbytes Page：20 Pages	HighSpeedTwo-ChannelDigitalIsolators Features •Highspeed:150Mbpstypical(S-Series) •Hightemperature:−40°Cto+125°C(T-SeriesandV-Series •6kVRMSReinforcedIsolation;1.2kVRMSWorkingVoltage(V-Series) •2.7to5.5voltsupplyrange •100kV/μsCommonModeTransientImmunity •NocarrierorclockforlowEMIemi	NVE NVE Corporation	NVE
IRF721	文件：164.92 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,3.0A,350-400V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighvoltage,highspaedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversanddriversandotherpulsecircuits. •LowRDs(on) •VGS	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF721	文件：273.52 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowerRDS(on) •Improvedinductiveruggedness •Fastswitchingtimes •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowerinputcapacitance •Extendedsafeoperationarea •Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF721	文件：554.36 Kbytes Page：8 Pages	TRANSISTORSN-CHANNEL 400Volt,1.8OhmHEXFETTO-220ABPlasticPackage TheHEXFET®technologyisthekeytoInternationalRectifiersadvancedlineofpowerMOSFETtransistor. FEATURES: ■RepetitiveAvalancheRatings ■Dynamicdv/dtRatings ■SimpleDriveRequirement ■EaseofParalleling	IRF International Rectifier	IRF
IRF721	文件：45.31 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF721	文件：1.01144 Mbytes Page：3 Pages	400Volt,1.8OhmHEXFETTO-220ABPlasticPackage 400Volt,1.8OhmHEXFETTO-220ABPlasticPackage TheHEXFETtransistorsalsofeatureallofthewellestablishedadvantagesofMOSFETssuchasvoltagecontrol,veryfastswitching,easeofparallelingandtemperaturestabilityoftheelectricalparameters. Theyarewellsuitedforapplications	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF721	文件：333.66 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP
IRF721	文件：343.23 Kbytes Page：6 Pages	N-channelenhancementmodepowermostransistors	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市威尔健半导体有限公司	FMT722	ALTERA/阿尔特拉	23+	TQFP	69820	终端可以免费供样,支持BOM配单!	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	FMT722	ZETEX	2022+	SOT-23	56000	原厂代理终端免费提供样品	询价
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