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FMMT591ATA	文件：155.59 Kbytes Page：4 Pages	SOT23PNPsiliconplanarmediumpowertransistor Features •BVCEO>-40V •IC=-1AHighContinuousCurrent •ICM=-2APeakPulseCurrent •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FMMT591ATC	文件：342.3 Kbytes Page：7 Pages	40VPNPMEDIUMPOWERHIGHPERFORMANCETRANSISTORINSOT23 Features •BVCEO>-40V •IC=-1AHighContinuousCurrent •ICM=-2APeakPulseCurrent •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FMMT591CSM	文件：15.69 Kbytes Page：1 Pages	BipolarPNPDeviceinaHermeticallysealedLCC1	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
FMMT591-MY	文件：1.97968 Mbytes Page：4 Pages	PNPTransistor	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司	PJSEMI
FMMT591Q	文件：574.82 Kbytes Page：7 Pages	60VPNPMEDIUMPOWERTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FMMT591Q	文件：470.47 Kbytes Page：7 Pages	60VPNPMEDIUMPOWERTRANSISTORINSOT23 Description ThisBipolarJunctionTransistor(BJT)hasbeendesignedtomeetthestringentrequirementsofAutomotiveApplications. Features •BVCEO>-60V •IC=-1AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=-2APeakPulseCurrent •RSAT=295mΩforaLowEquivalentOn-Resistance •hFECha	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FMMT591QTA	文件：574.82 Kbytes Page：7 Pages	60VPNPMEDIUMPOWERTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FMMT591QTA	文件：470.47 Kbytes Page：7 Pages	60VPNPMEDIUMPOWERTRANSISTORINSOT23 Description ThisBipolarJunctionTransistor(BJT)hasbeendesignedtomeetthestringentrequirementsofAutomotiveApplications. Features •BVCEO>-60V •IC=-1AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=-2APeakPulseCurrent •RSAT=295mΩforaLowEquivalentOn-Resistance •hFECha	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FMMT591TA	文件：298.08 Kbytes Page：8 Pages	MediumpowerPNPtransistorinSOT23 Features •BVCEO>-60V •IC=-1AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=-2APeakPulseCurrent •Rsat=295mΩforaLowEquivalentOn-Resistance •hFEcharacterisedupto-2AforHighCurrentGainHoldUp •ComplementaryNPNType:FMMT491 •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FMMT591TA	文件：476.51 Kbytes Page：7 Pages	60VPNPMEDIUMPOWERTRANSISTORINSOT23 Features •BVCEO>-60V •IC=-1AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=-2APeakPulseCurrent •Rsat=295mΩforaLowEquivalentOn-Resistance •hFEcharacterisedupto-2AforHighCurrentGainHoldUp •ComplementaryNPNType:FMMT491 •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

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更多FMMT591APBF供应商更新时间2025-7-28 14:28:00

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