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HMC559	文件：1.19059 Mbytes Page：22 Pages	ActiveBiasControllerHighCurrent	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
HMC559	文件：429.42 Kbytes Page：8 Pages	GaAsPHEMTMMICPOWERAMPLIFIER GeneralDescription TheHMC559isaGaAsMMICPHEMTDistributedPowerAmplifierdiewhichoperatesbetweenDCand20GHz.Theamplifierprovides14dBofgain,+36dBmoutputIP3and+28dBmofoutputpowerat1dBgaincompressionwhilerequiring400mAfroma+10Vsupply.Gainflatnessissl	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
HMC559	文件：951.86 Kbytes Page：11 Pages	TelecomInfrastructure GeneralDescription TheHMC559isaGaAsMMICPHEMTDistributedPowerAmplifierdiewhichoperatesbetweenDCand20GHz.Theamplifierprovides14dBofgain,+36dBmoutputIP3and+28dBmofoutputpowerat1dBgaincompressionwhilerequiring400mAfroma+10Vsupply.Gainflatnessissl	MICROSS Micross Components	MICROSS
HMC559	文件：306.07 Kbytes Page：8 Pages	GaAsPHEMTMMICPOWERAMPLIFIER,DC-20GHz	Hittite Hittite Microwave Corporation	Hittite
HMC559	文件：404.64 Kbytes Page：8 Pages	GaAsPHEMTMMICPOWERAMPLIFIER,DC-20.0GHz GeneralDescription TheHMC559isaGaAsMMICPHEMTDistributedPowerAmplifierdiewhichoperatesbetweenDCand20GHz.Theamplifierprovides14dBofgain,+36dBmoutputIP3and+28dBmofoutputpowerat1dBgaincompressionwhilerequiring400mAfroma+10Vsupply.Gainflatnessissl	Hittite Hittite Microwave Corporation	Hittite
HN559	文件：370.43 Kbytes Page：5 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistorforswitchingandAFapplications??? PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistorforswitchingandAFapplications.	SEMTECH Semtech Corporation	SEMTECH
JC559	文件：44.43 Kbytes Page：8 Pages	PNPgeneralpurposetransistor DESCRIPTION PNPtransistorinaTO-92;SOT54plasticpackage. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.30V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification •Low-noiseinputstagesintaperecorders,hi-fiamplifiersandotheraudio-frequencyequipment.	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
K559	文件：49.8 Kbytes Page：1 Pages	HIGHSPEEDPOWERSWITCHING SILICONN-CHANNELMOSFET HIGHSPEEDPOWERSWITCHING	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
KRA559E	文件：89.52 Kbytes Page：4 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR(SWITCHING,INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUIT) SWITCHINGAPPLICATION. INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUITAPPLICATION. FEATURES ●WithBuilt-inBiasResistors ●SimplifyCircuitDesign ●ReduceaQuantityofPartsandManufacturingProcess ●HighPackingDensity.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KRA559U	文件：89.86 Kbytes Page：4 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR(SWITCHING,INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUIT) SWITCHINGAPPLICATION. INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUITAPPLICATION. FEATURES ●WithBuilt-inBiasResistors ●SimplifyCircuitDesign ●ReduceaQuantityofPartsandManufacturingProcess ●HighPackingDensity.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC

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